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關(guān)鍵詞(KEYWORDS)	Si-SiC-GaN@Mosfet-IGBT靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)(雙脈沖測(cè)試),MOSFET-IGBT功率循環(huán),高低溫環(huán)境試驗(yàn)箱,SoC/ASIC仿真FPGA 原型驗(yàn)證矩陣,參數(shù)化納秒皮秒脈沖電源,半導(dǎo)體檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室,陜西天士立科技有限公司
描述(DESCRIPTION)	陜西天士立科技有限公司——研發(fā)生產(chǎn)Si , SiC , GaN 材料的IGBT , MOS, Diode, BJT , SCR，IPM , OC，Relay等元器件的電參數(shù)、可靠性、老化等設(shè)備。氣候和力學(xué)環(huán)境設(shè)備。特種電源為高重頻、高功率、高壓、窄脈沖，電壓從數(shù)kV到百kV級(jí)，上升沿從fs級(jí)到ms級(jí)。CNAS聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室提供第三方檢測(cè)與驗(yàn)證等檢測(cè)分析和技術(shù)咨詢(xún)。SoC/ASIC仿真驗(yàn)證?！癋PGA 原型驗(yàn)證矩陣”、“企業(yè)級(jí)硬件仿真加速器”、“ESL高階設(shè)計(jì)語(yǔ)言編譯和仿真工具”、“邏輯綜合器”。